ઝીંક ઓક્સાઇડ એરેસ્ટર અને એલ્બો એરેસ્ટર વચ્ચેનો તફાવત

વચ્ચેનો તફાવતઝીંક ઓક્સાઇડ એરેસ્ટરઅનેકોણી પકડનાર

૧. (૧) વાલ્વ-પ્રકારના એરેસ્ટરનો કાર્ય સિદ્ધાંત:
જ્યારે સિસ્ટમ સામાન્ય હોય છે, ત્યારે સ્પાર્ક ગેપ વર્કિંગ બસમાંથી વાલ્વ પ્લેટ રેઝિસ્ટન્સને અલગ કરે છે, જેથી વર્કિંગ વોલ્ટેજ દ્વારા વાલ્વ પ્લેટ રેઝિસ્ટન્સમાં ઉત્પન્ન થતા કરંટને કારણે વાલ્વ પ્લેટ રેઝિસ્ટન્સ બળી ન જાય.
એકવાર કાર્યરત બસ પર વોલ્ટેજ તેના બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ મૂલ્ય કરતાં વધી જાય, પછી સ્પાર્ક ગેપ તૂટી જશે અને વાલ્વ પ્લેટ પ્રતિકાર દ્વારા વીજળીનો પ્રવાહ પૃથ્વીમાં લીક થવા તરફ દોરી જશે. આ સમયે, વાલ્વ પ્લેટ પ્રતિકારનું પ્રતિકાર મૂલ્ય આપમેળે ઘટશે જેથી તેના બે છેડા પર પ્રતિકાર ઓછો થશે. શેષ દબાણ રચાય છે.
વીજળીનો પ્રવાહ અદૃશ્ય થઈ ગયા પછી, વાલ્વ પ્લેટ પ્રતિકાર પર કાર્ય કરતો વોલ્ટેજ પાવર ફ્રીક્વન્સી વોલ્ટેજ છે. આ સમયે, વાલ્વ પ્લેટ પ્રતિકારનું પ્રતિકાર મૂલ્ય આપમેળે વધશે, જે પાવર ફ્રીક્વન્સી ફ્રીવ્હીલિંગને મર્યાદિત કરશે જેથી ચાપ ઝડપથી અને વિશ્વસનીય રીતે ઓલવાઈ જશે.

(2) વાલ્વ એરેસ્ટર શ્રેણીમાં બહુવિધ સ્પાર્ક ગેપ્સ અને વાલ્વ પ્લેટ રેઝિસ્ટરથી બનેલું છે.
સ્પાર્ક ગેપ વચ્ચેનું અંતર નાનું છે, ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્ર સમાન ઇલેક્ટ્રિક ક્ષેત્ર જેવું જ છે, વોલ્ટ-સેકન્ડ લાક્ષણિકતા પ્રમાણમાં સપાટ છે, અને ઇન્સ્યુલેશન સંકલન સાકાર કરવું સરળ છે. વધુમાં, જ્યારે પાવર ફ્રીક્વન્સી ચાલુ રહે છે ત્યારે બહુવિધ ગાબડા ચાપને વિભાજિત કરે છે. લાંબા ચાપની તુલનામાં, ટૂંકા ચાપને કાપવામાં સરળ છે, અને ગેપ ઇન્સ્યુલેશન તાકાતની પુનઃપ્રાપ્તિ ક્ષમતામાં સુધારો થયો છે.
વાલ્વ પ્લેટ પ્રતિકારનું અસ્તિત્વ ઇન્સ્યુલેશન માટે પ્રતિકૂળ એવા ક્લિપિંગ તરંગોને ટાળે છે. તેની બિન-રેખીયતા તેને વીજળીના પ્રવાહને પસાર કરતી વખતે ઓછો પ્રતિકાર દર્શાવે છે જેથી એરેસ્ટરના શેષ વોલ્ટેજને મર્યાદિત કરી શકાય અને રક્ષણ કામગીરીમાં સુધારો થાય; પાવર ફ્રીક્વન્સી ફ્રીવ્હીલિંગ પસાર કરતી વખતે, તે ઉચ્ચ પ્રતિકાર દર્શાવે છે અને પાવર ફ્રીક્વન્સી ફ્રીવ્હીલિંગને મર્યાદિત કરવા અને ચાપ બુઝાવવાની કામગીરીમાં સુધારો કરવા માટે વોલ્ટેજ સતત રહે છે.

2. (1) ઝીંક ઓક્સાઇડ એરેસ્ટરનો કાર્ય સિદ્ધાંત:
કાર્યકારી વોલ્ટેજની ક્રિયા હેઠળ, ZnO વાલ્વમાંથી વહેતો પ્રવાહ 1mA (મુખ્ય ઘટક કેપેસિટીવ પ્રવાહ છે) કરતા ઘણો ઓછો હોય છે, જે ઇન્સ્યુલેટરની સમકક્ષ હોય છે અને વાલ્વને બાળશે નહીં, તેથી કાર્યકારી વોલ્ટેજને શ્રેણી ગેપ વિના અલગ કરી શકાય છે.
જ્યારે ZnO વાલ્વ પર લાગુ વોલ્ટેજ ચોક્કસ મૂલ્ય (પ્રારંભિક ઓપરેટિંગ વોલ્ટેજ U1mA) કરતાં વધી જાય છે, ત્યારે "ચાલુ" થશે. "ચાલુ" પછી, ZnO વાલ્વનો પ્રતિકાર ખૂબ જ નાનો હોય છે, અને શેષ વોલ્ટેજ તેમાંથી વહેતા પ્રવાહ સાથે સંબંધિત હોય છે. મૂળભૂત રીતે અપ્રસ્તુત.
જ્યારે લાગુ વોલ્ટેજ ઓપરેટિંગ વોલ્ટેજથી નીચે જાય છે, ત્યારે ZnO વાલ્વ પ્લેટનું "ચાલુ" બંધ થઈ જાય છે, જે ઇન્સ્યુલેટર જેટલું જ છે, તેથી પાવર ફ્રીક્વન્સી ફ્રીવ્હીલિંગ થતું નથી.
આ જ કારણ છે કે MOA ફ્રીવ્હીલિંગ વિના સીમલેસ ફ્લો પ્રાપ્ત કરી શકે છે. (ભૂતકાળમાં વીજળીનો પ્રવાહ ઇન્સ્યુલેટર બની જાય છે, તેથી ફક્ત વીજળીનો પ્રવાહ ZnO વાલ્વ પ્લેટમાંથી પસાર થાય છે)
સિલિકોન કાર્બાઇડ SiC વાલ્વની તુલનામાં, ZnO વાલ્વમાં આદર્શ નોનલાઇનર વોલ્ટ-એમ્પીયર લાક્ષણિકતાઓ છે.

(2) SiC વાલ્વ ડિસ્ક અને સિરીઝ ગેપથી બનેલા પરંપરાગત એરેસ્ટરની તુલનામાં, ઝીંક ઓક્સાઇડ ગેપલેસ એરેસ્ટરના નીચેના ફાયદા છે:
①સરળ માળખું, મોટા પાયે સ્વચાલિત ઉત્પાદન માટે યોગ્ય, નાનું કદ, હલકું વજન અને ઓછી કિંમત.
② શ્રેષ્ઠ સુરક્ષા કામગીરી. ZnO વાલ્વમાં ઉત્તમ વોલ્ટ-એમ્પીયર લાક્ષણિકતાઓ હોવાથી, શેષ વોલ્ટેજ ઓછો છે; તે સમગ્ર ઓવરવોલ્ટેજ સમયગાળા દરમિયાન ઊર્જા મુક્ત કરી શકે છે, અને કોઈ સ્પાર્ક નથી, તેથી ડિસ્ચાર્જ સમય વિલંબ નથી, અને તેમાં સારી સ્ટીપ વેવ પ્રતિભાવ લાક્ષણિકતાઓ છે, ખાસ કરીને ગેસ ઇન્સ્યુલેટેડ સબસ્ટેશન અને DC સિસ્ટમ્સના GIS સંરક્ષણ માટે યોગ્ય.
③પુનરાવર્તિત ક્રિયાઓનો સામનો કરવાની મજબૂત ક્ષમતા, ફક્ત ઓવર-વોલ્ટેજ ઊર્જા શોષી લે છે, ફ્રીવ્હીલિંગ ઊર્જા શોષવાની જરૂર નથી.
④મોટી પ્રવાહ ક્ષમતા. ZnO વાલ્વના પ્રતિ યુનિટ ક્ષેત્રફળની પ્રવાહ ક્ષમતા SiC વાલ્વ કરતા 4 થી 5 ગણી છે. તેનો ઉપયોગ આંતરિક ઓવરવોલ્ટેજ માટે બેકઅપ સુરક્ષા તરીકે થઈ શકે છે.
⑤ સારી ડાઘ પ્રતિકારકતા. કોઈ શ્રેણી ગેપ ન હોવાથી, પોર્સેલેઇન સ્લીવની સપાટી પર અસમાન પ્રદૂષણને કારણે શ્રેણી સ્પાર્ક ગેપના અસ્થિર ડિસ્ચાર્જ વોલ્ટેજની સમસ્યા ટાળી શકાય છે, અને પ્રદૂષણ વિરોધી અને જીવંત-સફાઈ ધરપકડ કરનારાઓનું ઉત્પાદન કરવું સરળ છે. (સપાટીના દૂષણથી પ્રભાવિત નથી)